企業(yè)博客
更多>>晶振技術(shù)術(shù)語
來源：http://www.rxwanggebu.com 作者：kangbily 2015年08月20
標(biāo)稱頻率晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率,通常標(biāo)識在產(chǎn)品外殼上, 工作頻率 晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率, 調(diào)整頻差 在規(guī)定條件下,基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差, 溫度頻差 在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率的允許 偏差, 老化率 在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化,以年為時間單位衡量時稱為 年老化率, 靜電容 等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示, 負(fù)載電容 與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示, 負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF, 只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF, 負(fù)載諧振頻率 在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為 電阻性時的兩個頻率中的一個頻率,在串聯(lián)負(fù)載電容時,負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個,在并聯(lián)負(fù)載電容時,則是兩個頻率中較高的一個, 動態(tài)電阻 串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻,用R1表示, 負(fù)載諧振電阻 在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻,用RL表示, RL=R1（1+C0/CL）2 激勵電平 晶體工作時所消耗功率的表征值, 激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等 基頻 在振動模式最低階次的振動頻率, 泛音 晶體振動的機械諧波,泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別,泛音振動有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等,
正在載入評論數(shù)據(jù)...
此文關(guān)鍵字： 晶振
相關(guān)資訊
- [2023-09-04]Abracon晶振5G小型蜂窩的時序參...
- [2023-08-31]CTS運輸產(chǎn)品手冊
- [2020-12-22]常用Oscillator輸出方式之間的性...
- [2019-07-25]負(fù)載電容決定晶振的共振頻率
- [2019-06-24]探討MEMS晶振第一和附加工藝的關(guān)...
- [2019-05-21]石英晶體諧振器縱向振動
- [2019-04-27]有源晶振啟動時間
- [2019-03-15]每個工程師應(yīng)該知道有源晶振
